第1單元檢測題 （共100分，120分鐘）
一、填空題：（每空1分，共28分）
1、n型半導體是在本徵半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內的多數載流子為自由電子 ，少數載流子為空穴 ，定域的雜質離子帶正電。
2、雙極型三極體內部有基區、 發射區和集電區，有發射結和集電結及向外引出的三個鋁電極。
3、pn結正向偏置時，內、外電場方向相反 ，pn結反向偏置時，內、外電場方向相同 。
4、二極體的伏安特性曲線上可分為死區、 正嚮導通區、 反向截止區和
反向擊穿區四個工作區。
5、用指標式萬用表檢測二極體極性時，需選用歐姆擋的 r×1k 檔位，檢測中若指標偏轉較大，可判斷與紅表棒相接觸的電極是二極體的陰極；與黑表棒相接觸的電極是二極體的陽極。檢測二極體好壞時，若兩表棒位置調換前後萬用表指標偏轉都很大，說明二極體已經被擊穿 ；兩表棒位置調換前後萬用表指標偏轉都很小時，說明該二極體已經老化不通 。
6、雙極型三極體簡稱電晶體，屬於電流控制型器件，單極型三極體稱為mos管，屬於電壓控制型器件。mos管只有多數載流子構成導通電流。
7、閘流體既有單向導電的整流作用，又有可以控制導通時間的作用。閘流體正嚮導通的條件是陽極加正電壓時，門控極也要有正向觸發電壓 ，關斷的條件是閘流體反偏或電流小於維持電流 。
8、閘流體有陽極、 陰極和門控極三個電極。
二、判斷正誤：（每小題1分，共12分）
1、p型半導體中定域的雜質離子呈負電，說明p型半導體帶負電
2、電晶體和場效電晶體一樣，都是由兩種載流子同時參與導電
3、用萬用表測試電晶體好壞和極性時，應選擇歐姆檔r×10k檔位
4、pn結正向偏置時，其內電場和外電場的方向相同
5、無論在任何情況下，三極體都具有電流放大能力
6、只要在二極體兩端加正向電壓，二極體就一定會導通
7、二極體只要工作在反向擊穿區，一定會被擊穿而造成永久損壞
8、三極體集電極電流大於它的最大允許電流icm時，該管必定被擊穿。 （ × ）
9、場效電晶體若出廠前襯底與源極相連，則漏極和源極就不能互換使用。 （ √ ）
10、雙極型三極體的集電極和發射極型別相同，因此可以互換使用
11、閘流體門極上加正向觸發電壓，閘流體就會導通
12、閘流體觸發脈衝與主電路不需要同步
三、選擇題：（每小題2分，共20分）
1、單極型半導體器件是（ c ）。
a、二極體； b、雙極型三極體； c、場效電晶體； d、穩壓管。
2、p型半導體是在本徵半導體中加入微量的（ a ）元素構成的。
a、三價； b、四價； c、五價； d、六價。
3、穩壓二極體的正常工作狀態是（ c ）。
a、導通狀態； b、截止狀態； c、反向擊穿狀態； d、任意狀態。
4、用萬用表檢測某二極體時，發現其正、反電阻均約等1kω，說明該二極體（ a ）。
a、已經擊穿； b、完好狀態； c、內部老化不通； d、無法判斷。
5、pn結兩端加正向電壓時，其正向電流是（ a ）而成。
a、多子擴散； b、少子擴散； c、少子漂移； d、多子漂移。
6、測得npn型三極體上各電極對地電位分別為ve＝2.1v，vb＝2.8v，vc＝4.4v，說明此三極體處在（ a ）。
a、放大區； b、飽和區； c、截止區； d、反向擊穿區。
7、絕緣柵型場效電晶體的輸入電流（ c ）。
a、較大； b、較小； c、為零； d、無法判斷。
8、正弦電流經過二極體整流後的波形為（ c ）。
a、矩形方波； b、等腰三角波； c、正弦半波； d、仍為正弦波。
9、三極體超過（ c ）所示極限引數時，必定被損壞。
a、集電極最大允許電流icm； b、集—射極間反向擊穿電壓u（br）ceo；
c、集電極最大允許耗散功率pcm； d、管子的電流放大倍數。
10、若使三極體具有電流放大能力，必須滿足的外部條件是（ b ）
a、發射結正偏、集電結正偏； b、發射結反偏、集電結反偏；
c、發射結正偏、集電結反偏； d、發射結反偏、集電結正偏。
四、簡述題：（每小題3分，共24分）
1、n型半導體中的多子是帶負電的自由電子載流子，p型半導體中的多子是帶正電的空穴載流子，因此說n型半導體帶負電，p型半導體帶正電。上述說法對嗎？為什麼？
答：這種說法是錯誤的。因為，晶體在摻入雜質後，只是共價鍵上多出了電子或少了電子，從而獲得了n型半導體或p型半導體，但整塊晶體中既沒有失電子也沒有得電子，所以仍呈電中性。
2、某人用測電位的方法測出電晶體三個管腳的對地電位分別為管腳①12v、管腳②3v、管腳③3.7v，試判斷管子的型別以及各管腳所屬電極。
答：管腳③和管腳②電壓相差0.7v，顯然乙個矽管，是基極，乙個是發射極，而管腳①比管腳②和③的電位都高，所以一定是乙個npn型矽管。
再根據管子在放大時的原則可判斷出管腳②是發射極，管腳③是基極，管腳①是集電極。
3、齊納擊穿和雪崩擊穿能否造成二極體的永久損壞？為什麼？
答：齊納擊穿和雪崩擊穿都屬於電擊穿，其過程可逆，只要控制使其不發生質變引起熱擊穿，一般就不會造成二極體的永久損壞。
4、圖1.44所示電路中，矽穩壓管dz1的穩定電壓為8v，dz2的穩定電壓為6v，正向壓降均為0.7v，求各電路的輸出電壓u0。
答：分析：根據電路可知，當ui>e時，二極體導通u0=ui，當ui5、半導體二極體由乙個pn結構成，三極體則由兩個pn結構成，那麼，能否將兩個二極體背靠背地連線在一起構成乙個三極體？
如不能，說說為什麼？
答：將兩個二極體背靠背地連線在一起是不能構成乙個三極體的。因為，根據三極體的內部結構條件，基區很薄，只能是幾個微公尺，若將兩個二極體背靠背連線在一起，其基區太厚，即使是發射區能向基區發射電子，到基區後也都會被基區中大量的空穴復合掉，根本不可能有載流子繼續擴散到集電區，所以這樣的「三極體」是不會有電流放大作用的。
6、如果把三極體的集電極和發射極對調使用？三極體會損壞嗎？為什麼？
答：集電極和發射極對調使用，三極體不會損壞，但是其電流放大能力大大降低。因為集電極和發射極的雜質濃度差異很大，且結面積也不同。
7、閘流體與普通二極體、普通三極體的作用有何不同？其導通和阻斷的條件有什麼不同？
答：普通二極體根據其單向導電性可知，陽極加電源正極、陰極加電源負極時導通，反之阻斷，可用於整流、鉗位、限幅和電子開關；普通三極體在放大電路中起放大作用，在數字電子技術中起開關作用，普通三極體用於放大作用時，只要發射極正偏、集電極反偏時就會導通起放大作用，當發射極反偏時就會阻斷放大訊號通過；用作開關元件時，當發射結和集電結都正偏時，它就會飽和導通，當發射極反偏或發射極和集電極兩個極都反偏時，電晶體就截止，阻斷訊號通過。閘流體屬於矽可控整流器件，只有導通和關斷兩種狀態。
閘流體具有pnpn四層半導體結構，有陽極，陰極和門極三個電極。閘流體加正向電壓且門極有觸發電流時導通，即：閘流體僅在正向陽極電壓時是不能導通的，還需門控極同時也要承受正向電壓的情況下才能導通（閘流體一旦導通後，門控極即失去作用）；當閘流體承受反向陽極電壓時，不管門極承受多大電壓，閘流體都處於阻斷狀態，或者閘流體在導通情況下，其主迴路電壓（或電流）減小到接近於零值時，閘流體也會自動關斷。
8、閘流體可控整流電路中為什麼需要同步觸發？如果不採用同步觸發，對電路輸出電壓將產生什麼影響？
答：實際應用的閘流體觸發電路是可控「觸發」。只有當觸發脈衝與主電路電壓同步時，在閘流體承受的正半周電壓範圍內，門控極才能獲得乙個時刻相同的正向觸發脈衝，閘流體也才可能「觸發」起到可控導通作用。
因此，閘流體可控整流電路中必須採用同步觸發，否則由於每個正半周的控制角不同，輸出電壓就會忽大忽小發生波動，從而產生失控現象。
五、計算分析題：（共15分）
1、圖1.45所示三極體的輸出特性曲線，試指出各區域名稱並根據所給出的引數進行分析計算。（6分）
（1）uce=3v，ib=60μa，ic=？
（2）ic=4ma，uce=4v，icb=？
（3）uce=3v，ib由40~60μa時，β=？
解：a區是飽和區，b區是放大區，c區是截止區。
（1）觀察圖6-25，對應ib=60μa、uce=3v處，集電極電流ic約為3.5ma；
（2）觀察圖6-25，對應ic=4ma、uce=4v處，ib約小於80μa和大於70μa；
（3）對應δib=20μa、uce=3v處，δic≈1ma，所以β≈1000/20≈50。
2、已知npn型三極體的輸入—輸出特性曲線如圖1.46所示，當
（1）ube=0.7v，uce=6v，ic=？
（2）ib=50μa，uce=5v，ic=？
（3）uce=6v，ube從0.7v變到0.75v時，求ib和ic的變化量，此時的（9分）
解：（1）由（a）曲線查得ube=0.7v時，對應ib=30μa，由(b)曲線查得ic≈3.6ma；
（2）由（b）曲線可查得此時ic≈5ma；
（3）由輸入特性曲線可知，ube從0.7v變到0.75v的過程中，δib≈30μa，由輸出特性曲線可知，δic≈2.4ma，所以β≈2400/30≈80。
第2單元檢測題 （共120分，140分鐘）
一、填空題：（每空1分，共40分）
電子技術模擬試卷
一 填空題 1 二極體導通的條件是加在二極體兩端的電壓 2 正常工作的射極輸出器，電壓放大倍數近似等於1，那麼該放大器的電晶體一定工作在區。3 差動放大電路中，所謂差模訊號是指兩個輸入訊號電壓大小 極性 4 某放大器要求輸出電壓穩定，較高的輸入電阻，則在該放大器中應引入的交流負反饋是 5 p型半導體...
模擬電子技術考試要點
電子技術的考試重點 一 單項選擇題 1 含有二極體電路的計算 2 有關pn結的特性 3 含有穩壓管電路的計算 4 單級運放的計算 5 已知波形寫出門 6 計數器的概念 簡單計數器的波形等 7 常用部件 編碼器的感念，解碼器特性，顯示器 8 簡單整流電路計算 如半波電路 9 三端穩壓器輸出電壓的計算 ...
模擬電子技術基礎電子教案簡介
模擬電子技術基礎電子教案，是為康華光教授主編的 電子技術基礎 模擬部分 第五版配套的多 教學課件，是為教師在課堂上講授 模擬電子技術基礎 課程而製作的。教案內容緊扣教材，服務於教材。凡是採用康華光教授主編的 電子技術基礎 模擬部分 第五版教材的各高校教師，均可使用本電子教案進行教學。該電子教案能幫助...