什麼是低溫多晶矽：
低溫多晶矽ltps是low temperature ploy silicon的縮寫，一般情況下低溫多晶矽的製程溫度應低於攝氏600度，尤其對ltps區別於a-si製造的製造程式「雷射照射」（laser anneal）要求更是如此。與a-si相比，ltps的電子移動速度要比a-si快100倍，這個特點可以解釋兩個問題：首先，每個ltps panel 都比a-si panel反應速度快；其次，ltps panel 外觀尺寸都比a-si panel小。
下面是ltps與a-si 相比所持有的顯著優點：
1、把驅動ic的外圍電路整合到面板基板上的可行性更強；
2、反應速度更快，外觀尺寸更小，聯結和元件更少；
3、面板系統設計更簡單；
4、面板的穩定性更強；
5、解析度更高，
雷射照射：
p-si 與 a-si的顯著區別是ltps tft在製造過程中應用了雷射照射。ltps製造過程中在a-si層上進行了雷射照射以使a-si結晶。由於封裝過程中要在基板上完成多晶矽的轉化，ltps必須利用雷射的能量把非結晶矽轉化成多晶矽，這個過程叫做雷射照射。
電子移動性：
a-si tft的電子移動速率低於1 cm2/同時驅動ic需要較高的運算速率來驅動電路。這就是為什麼a-si tft不易將驅動ic整合到基板上。相比之下，p-si電子的移動速率可以達到100 cm2/同時也更容易將驅動ic整合到基板上。
結果是，首先由於將驅動ic、pcb和聯結器整合到基板上而降低了生產成本，其次使產品重量更輕、厚度更薄。
解析度：
由於p-si tft 比傳統的a-si小，所以解析度可以更高。
穩定性：
p-si tft的驅動ic合成在玻璃基板上有兩點好處：首先，與玻璃基板相連線的聯結器數量減少，模組的製造成本降低；其次，模組的穩定性將得以戲劇性的公升高。
Begoingto與will的區別
語法 一般將來時態 a.be going to 與will的區別 1.相同點 都可以表示將要發生的事，將要去做的事。2.不同點 1 be going to 表近期，眼下就要發生的事情 will 表將來時間則較遠一些。2 be going to 表根據主觀判斷將來肯定要發生的事 will 表客觀上將來...
begoingto與will的區別
be going to 中的be是助動詞，它有am,is,are三種形式，沒有什麼實際意義 to是動詞不定式的標誌詞，標誌詞後動詞用原形。它們三個總是形影不離，在句中共同表達 計畫 打算 準備去做 的意思。如 i am going to sell this old car,and buy a new...
與的用法區別
一 一 接在他動詞後，表達兩種意思，一是動作結果肉眼能看見的，它表示動作存續，例如 紙 字 書 紙上寫著有字。二是動作結果肉眼看不見的，一般表示 提前準備 例如 合格者 通知 對考上的人，已經發出通知了。論文 書 沢山 資料 集 為了寫 我已經收集了許多資料。在表示 提前準備 意思時，基本可以與 替...