西電微電子面試

2021-05-12 08:10:39 字數 2322 閱讀 6044

關於筆試,筆試是微電子概論(郝躍主編)和模擬電子技術(孫肖子主編)二選一,筆試時,會發一套卷子,裡面有模電和微電子概論,任選一門,可以先看看題,覺得哪個簡單就做哪個(當然,這需要你做兩手準備時才有可能)

下面是07年到09年這三年的微電子概論的筆試真題,可以看出基本有一半的題屬於書上最簡單的知識,當然還有將近15%可能是

書上沒有的,所以微電子概論一般都在70多分

07年微電子概論復試題

(一共6道大題,滿分100分,4月9日19:30~21:00)

1,什麼是n型半導體?什麼是p型半導體?如何獲得?

2,簡述電晶體的直流工作原理。

3,簡述mos場效電晶體的工作特性。

4,cmos電路的基本版圖共幾層,都是哪幾層?再描述一下coms工藝流程。

5,專用積體電路的設計方法有哪些?它們有什麼區別?

6,影響spice軟體精度的因素有哪些?

08年微電子復試題

1.半導體內部有哪幾種電流?寫出電流計算公式。

2.電晶體的基極寬度會影響那些引數?為什麼?

3.經過那些工藝流程可以實現選擇「摻雜」?寫出工藝流程。

4.雙極ic和mos ic的隔離有何不同?

5.rom有那些程式設計結構?各有和特點?

6.畫出穩壓電路的結構圖,解釋工學原理。

09年微電子復試題

1.pn結的寄生電容有幾種,形成機理,對pn結的工作特性及使用的影響?15'

2.什麼是基區寬變效應,基區寬變效應受哪些因素影響?15'

積體電路設計中,電流受哪些因素影響?15'

積體電路版圖設計中,什麼是有比例設計和無比例設計,對電學引數有哪些影響?15'

5.畫出整合雙極電晶體和整合mosfet的縱向剖面圖,並說明它們的工作原理的區別?20'

6.對閘電路而言,高電平雜訊容限和低電平雜訊容限受哪些因素影響?20'

對於模擬電子技術,有填空和計算兩種題型,相對而言,要進行計算和電路分析的比較多,難度一般並不大,主要是張進成老師上課的重點和期末考試的重點,所以考模電可能會考比較高的分數,但相對微電子概論,複習起來可能會比較麻煩

筆試完後,第二天就是面試,關於面試,主要在於回答專業課的問題,一般來說,專業課的問題都出自模電和微電子概論

我簡單說一下郝躍課題組去年的情況,抽兩道題,一道英語題(一般是與專業知識無關的英語問題),再就是

一道專業題(一般出自於模電或是微電子概論),有2分鐘左右的準備時間,然後開始回答,回答完之後,有時面試就直接結束,有時可能問題會有擴充套件,再多問幾道專業問題,之後面試就結束了,聽力基本沒有涉及,至於其他課題組,不太了解,但據說問的問題會多一些,但基本也出自模電或是微電子概論,一般認為,專業問題要比英語更重要,直接決定面試老師對你的印象

下面引用一下好網上網友給出的部分去年面試真題

專業課面試

1. 齊納擊穿與雪崩擊穿的原理和區別

2. 什麼是有比例設計與無比例設計,其影響引數

3. 高低電平雜訊影響的引數

4. 多級放大器的耦合方式及優缺點

5. 什麼是線性電源

6. 直流電源的原理及構成

7. pn節的兩種電容的機理。

8. pn節有哪幾種擊穿?各自的機理及擊穿曲線的特點?

9. 簡述cmos的工藝流程,幾層版圖?

10. 影響spice軟體精度的因素有哪些?

11. 半導體中載流子的兩種運動。

12. 模擬整合運算放大器的組成和效能。

13. 四探針法測電阻的原理。

14. 共價鍵和金剛石結構晶體

15. 什麼是共價鍵(有什麼特點)

16. 半導體的導電原理,導電機構

17. rom和ram的工作原理

18. 電晶體與mos管隔離的區別

19. n溝耗盡型mosfet工作原理?

20. 整合運算放大器的基本組成?有哪些引數?

21. cad的含義與作用

22. 現在cad軟體模擬與數字誰更好及原因

23. 半導體及金屬導電的原理

24. 半導體及金屬禁帶寬度

25. cmos有那幾種有源寄生效應,有什麼影響?

26. 晶體三極體工作的三種組態以及它們的應用場合?

27. 說出幾種可程式設計rom的原理及優缺點

英語題1. 你的專業是什麼,和你對專業的看法

2. 說說你的大學

3. 你喜歡什麼運動及他的規則

4. 如果你有錢了你怎麼辦

5. 談談外國教育

6. 改革開放對中國的影響

7. 你為什麼選西電

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